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  • EN

    M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件

    产品特性:

    采用Trench+Fieldstop技术;

    软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低;

    低饱和压降,导通损耗小;

    关断拖尾电流小,软关断特性;

    正温度系数,适合并联;

    高的短路电流能力(6us以上);

    开关速度快,开关损耗小;

    TVj max 达175℃;

    Type VCES
    (V)
    IC nom
    (A)
    VCE (sat)
    (V)
    Ptot
    (W)
    Eoff
    (mJ)
    RthJC
    (℃/W)
    Packages PDF资料
    MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 预览     下载
    MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 预览     下载
    MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 预览     下载

    应用领域

    变频器

    伺服驱动器

    不间断电源

    光伏逆变器

    电动汽车

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